Паспорт ПВДФ-пленки

1. Общая информация

▼

Уникальный ID образца:

Дата создания:

Ответственный:

Назначение образца:

Дополнительная информация:

2. Исходное сырье

▼

Тип полимера:

Производитель:

Марка / Серия:

Номер партии:

Молекулярная масса (M_w):

Форма поставки:

Дополнительная информация:

3. Химическая чистка и предобработка

▼

Метод очистки:

Очистка растворителем Экстракция Отжиг Не проводилась

Растворитель (если применялся): Условия очистки:

Дополнительная информация:

4. Получение пленки

▼

Метод получения:

Температура процесса (°C):

Скорость (для экструзии):

Толщина пленки (мкм):

Диаметр / Ширина (мм):

Цвет:

Растворитель (для литья из раствора): Концентрация раствора (% масс.): Подложка (для литья): Особенности процесса:

Дополнительная информация:

5. Лазерная микрообработка

▼

Тип лазера:

Длительность импульса:

Энергия в импульсе (E), мкДж:

Частота повторения (f), Гц:

Скорость сканирования, мм/с:

Размер пятна (2w₀), мкм:

Флюенс (F), Дж/см²:

Плотность мощности, Вт/см²:

Цель обработки:

Резка Микроструктурирование Локальная деполяризация Формирование отверстий Модификация свойств

Геометрия обработки: Примечания к лазерной обработке:

Дополнительная информация:

6. Отжиг и механическая вытяжка

▼

Отжиг

Температура отжига (°C):

Время отжига (мин):

Среда отжига:

Вытяжка (ориентация)

Коэффициент вытяжки (%):

Температура вытяжки (°C):

Скорость вытяжки (мм/с):

Направление вытяжки:

Угол вытяжки (рад):

Дополнительная информация:

7. Поляризация

▼

Метод поляризации:

Напряжение поля (кВ/мм):

Температура поляризации (°C):

Время поляризации (мин):

Электроды (материал, метод нанесения):

Дополнительная информация:

8. Характеризация пленки

▼

Структурные методы

ИК-Фурье спектроскопия: Примечания ИК: Спектроскопия комбинационного рассеяния: Примечания КР: ДСК (DSC):

T_плав,α (°C):

T_плав,β (°C):

T_плав,γ (°C):

T_{крист,α} (°C):

T_{крист,β} (°C):

T_{крист,γ} (°C):

ΔH_α (Дж/г):

ΔH_β (Дж/г):

ΔH_γ (Дж/г):

Рентгеноструктурный анализ (XRD): Сканирующая зондовая микроскопия (СЗМ):

Шероховатость R_a (нм):

Шероховатость R_q (нм):

Модуль упругости (ГПа):

Электрические и функциональные свойства

Диэлектрическая проницаемость (ε'):

Тангенс потерь (tgδ):

Электрическая прочность исходной пленки E₀ (МВ/м):

Электрическая прочность после ориентации E_s (МВ/м):

Пьезокоэффициент d₃₃ ориентированной пленки (пК/Н):

d₃₃ (пК/Н):

d₃₁ (пК/Н):

k₃₃ (коэфф. связи):

Петля гистерезиса (сегнетоэлектрическая):

P_r (мкК/см²):

E_c (кВ/мм):

Пироэлектрический коэффициент (мкК/м²К):

Дополнительная информация:

9. Сборка датчика

▼

Конструкция датчика: Защитное покрытие: Срок службы / Стабильность:

Дополнительная информация: